SQ2351ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 20V SOT23
Дискретті жартылай өткізгіштер
Өндіруші нөмірі:
SQ2351ES-T1_GE3
Өндіруші:
Сипаттамасы:
MOSFET P-CHAN 20V SOT23
RoHs күйі:
Қорғасынсыз / RoHS сәйкес Деректер кестелері:
SQ2351ES-T1_GE3 Деректер кестелері(PDF)
FET мүмкіндігі :
-
FET түрі :
P-Channel
Gate заряды (Qg) (макс) @ Vgs :
5.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (макс.) :
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Бөлім күйі :
Active
Жабдықтаушы құрылғы пакеті :
SOT-23-3 (TO-236)
Жетек кернеуі (Макс Rds қосулы, Мин Rds қосулы) :
2.5V, 4.5V
Жұмыс температурасы :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Макс) @ Vds :
330pF @ 10V
Кернеу көзіне ағызу (Vdss) :
20V
Монтаждау түрі :
Surface Mount
Пакет/қорап :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Сериялар :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - Үздіксіз төгу (Id) @ 25°C :
3.2A (Tc)
Қаптама :
Tape & Reel (TR)
Қуат шығыны (макс.) :
2W (Tc)
Қоймада
51,126
Unit Price:
Бізбен байланысыңыз ұсыныс
SQ2351ES-T1_GE3 Конкурентные цены
ChipIc бірегей жабдықтау көзі бар. Біз SQ2351ES-T1_GE3 қосымшасын ұсына аламыз
біздің клиенттер үшін бәсекеге қабілетті баға. Сіз біздің ең жақсысынан ләззат ала аласыз
Chipmlcc SQ2351ES-T1_GE3 сатып алу арқылы қызмет көрсету. қатысты бізге хабарласыңыз
SQ2351ES-T1_GE3 сайтындағы ең жақсы баға. Ұсыныс алу үшін басыңыз
SQ2351ES-T1_GE3 Особенности
SQ2351ES-T1_GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторлар – өрістік транзисторлар, MOSFET – жалғыз.
SQ2351ES-T1_GE3 Өнім туралы мәліметтер
:
SQ2351ES-T1_GE3 — Транзисторлар – өрістік транзисторлар, MOSFET – жалғыз буферлік күшейткіштер әзірленген және
өндірілген
Vishay Siliconix.
Vishay Siliconix ұсынған SQ2351ES-T1_GE3 файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC SQ2351ES-T1_GE3 сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат SQ2351ES-T1_GE3 (PDF), бағасы SQ2351ES-T1_GE3, Pinout SQ2351ES-T1_GE3, нұсқаулық SQ2351ES-T1_GE3 Және SQ2351ES-T1_GE3 ауыстыру шешімі.
Vishay Siliconix ұсынған SQ2351ES-T1_GE3 файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC SQ2351ES-T1_GE3 сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат SQ2351ES-T1_GE3 (PDF), бағасы SQ2351ES-T1_GE3, Pinout SQ2351ES-T1_GE3, нұсқаулық SQ2351ES-T1_GE3 Және SQ2351ES-T1_GE3 ауыстыру шешімі.
SQ2351ES-T1_GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum drain-source voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3 is 45mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3 is 100A.
4. What is the gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3?
The gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3?
The input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 6800pF.
7. What is the total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3?
The total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 40nC.
8. What is the maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3 is 2.5W.
9. What is the typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3 is 10ns.
10. What is the maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is -55°C to 175°C.
The maximum drain-source voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3 is 45mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3 is 100A.
4. What is the gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3?
The gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3?
The input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 6800pF.
7. What is the total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3?
The total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 40nC.
8. What is the maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3 is 2.5W.
9. What is the typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3 is 10ns.
10. What is the maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is -55°C to 175°C.
SQ2351ES-T1_GE3 Қатысты кілт сөздер
:
SQ2351ES-T1_GE3 Бағасы
SQ2351ES-T1_GE3 Кескіндеме
SQ2351ES-T1_GE3 Істік кернеу
Науқандар: Жылдам дәйексөзді тексеру
Ең аз тапсырыс: 1
Contains
"SQ23"
series
products
