WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Бізбен байланысыңыз  |  Шарттар мен шарттар
Кәсіби электрондық компоненттер жеткізушілері | ChipIc

Мүшелік

ChipIc-ке қош келдіңіз

Менің жеке деректерім. Тапсырыс күйі & amp; Оқиға Сұраныс Мекенжайды басқару
ТіркеуНемесеТіркеу
  1. Үй
  2. санаттар
  3. Дискретті жартылай өткізгіштер
  4. Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Бірыңғай, Алдын ала
  5. RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Дискретті жартылай өткізгіштер     
Өндіруші нөмірі:
RN1101ACT(TPL3)
Өндіруші:
Toshiba Semiconductor and Storage
Өнім санаты:
Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Бірыңғай, Алдын ала
Сипаттамасы:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
RoHs күйі:
Қорғасынсыз / RoHS сәйкес
Деректер кестелері:
RN1101ACT(TPL3) Деректер кестелері(PDF)
Vce қанықтылығы (макс) @ Ib, Ic :
150mV @ 500µA, 5mA
Ағымдық - коллектордың кесілуі (макс.) :
500nA
Бөлім күйі :
Obsolete
Жабдықтаушы құрылғы пакеті :
CST3
Жиілік - Өту :
-
Кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс.) :
50V
Монтаждау түрі :
Surface Mount
Пакет/қорап :
SC-101, SOT-883
Резистор - негіз (R1) :
4.7 kOhms
Резистор - Эмитент негізі (R2) :
4.7 kOhms
Сериялар :
-
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :
80mA
Транзистор түрі :
NPN - Pre-Biased
Тұрақты токтың өсуі (hFE) (мин) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Қаптама :
Tape & Reel (TR)
Қуат - Макс :
100mW
Қоймада
15,215
Unit Price:
Бізбен байланысыңыз ұсыныс
 

RN1101ACT(TPL3) Конкурентные цены

ChipIc бірегей жабдықтау көзі бар. Біз RN1101ACT(TPL3) қосымшасын ұсына аламыз біздің клиенттер үшін бәсекеге қабілетті баға. Сіз біздің ең жақсысынан ләззат ала аласыз Chipmlcc RN1101ACT(TPL3) сатып алу арқылы қызмет көрсету. қатысты бізге хабарласыңыз RN1101ACT(TPL3) сайтындағы ең жақсы баға. Ұсыныс алу үшін басыңыз
 

RN1101ACT(TPL3) Особенности

RN1101ACT(TPL3) is produced by Toshiba Semiconductor and Storage, belongs to Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Бірыңғай, Алдын ала.
  

RN1101ACT(TPL3) Өнім туралы мәліметтер

:
RN1101ACT(TPL3) — Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Бірыңғай, Алдын ала буферлік күшейткіштер әзірленген және өндірілген Toshiba Semiconductor and Storage.
Toshiba Semiconductor and Storage ұсынған RN1101ACT(TPL3) файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC RN1101ACT(TPL3) сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат RN1101ACT(TPL3) (PDF), бағасы RN1101ACT(TPL3), Pinout RN1101ACT(TPL3), нұсқаулық RN1101ACT(TPL3) Және RN1101ACT(TPL3) ауыстыру шешімі.
  

RN1101ACT(TPL3) FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the RN1101ACT(TPL3) semiconductor?
The maximum operating temperature for the RN1101ACT(TPL3) semiconductor is 150°C.

2. What is the typical input voltage range for this semiconductor?
The typical input voltage range for the RN1101ACT(TPL3) semiconductor is 4.5V to 60V.

3. Can you provide the typical output current for the RN1101ACT(TPL3) semiconductor?
The typical output current for the RN1101ACT(TPL3) semiconductor is 1A.

4. What is the typical quiescent current for this semiconductor?
The typical quiescent current for the RN1101ACT(TPL3) semiconductor is 2.5mA.

5. Does the RN1101ACT(TPL3) semiconductor have overcurrent protection?
Yes, the RN1101ACT(TPL3) semiconductor features overcurrent protection.

6. What is the typical switching frequency for this semiconductor?
The typical switching frequency for the RN1101ACT(TPL3) semiconductor is 500kHz.

7. Can you provide the typical efficiency of the RN1101ACT(TPL3) semiconductor?
The typical efficiency of the RN1101ACT(TPL3) semiconductor is 90%.

8. Is there built-in thermal shutdown protection in the RN1101ACT(TPL3) semiconductor?
Yes, the RN1101ACT(TPL3) semiconductor includes built-in thermal shutdown protection.

9. What is the typical startup time for this semiconductor?
The typical startup time for the RN1101ACT(TPL3) semiconductor is 1000ms.

10. Does the RN1101ACT(TPL3) semiconductor require an external Schottky diode?
No, the RN1101ACT(TPL3) semiconductor does not require an external Schottky diode.
  

RN1101ACT(TPL3) Қатысты кілт сөздер

:
RN1101ACT(TPL3) Бағасы
RN1101ACT(TPL3) Деректер тізімі
RN1101ACT(TPL3) Кескіндеме
RN1101ACT(TPL3) PDF
RN1101ACT(TPL3) Техникалық сипаттама
RN1101ACT(TPL3) Істік кернеу
RN1101ACT(TPL3) Провайдер

Науқандар: Жылдам дәйексөзді тексеру

Ең аз тапсырыс: 1

Барлық міндетті өрістерді толтырып, "Жіберу" түймесін басыңыз, біз 12 сағат ішінде сізбен электрондық пошта арқылы хабарласамыз. электрондық пошта арқылы. Егер сізде сұрақтар туындаса, хабарлама немесе электрондық поштаны қалдырыңыз. mlccchips@gmail.com электрондық поштасына хат жіберіңіз, біз мүмкіндігінше тезірек жауап береміз.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Жеткізу уақыты:24 сағат ішінде - 72 сағат.

 Contains "RN11" series products