MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Дискретті жартылай өткізгіштер
Өндіруші нөмірі:
MT3S111P(TE12L,F)
Өндіруші:
Өнім санаты:
Сипаттамасы:
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
RoHs күйі:
Қорғасынсыз / RoHS сәйкес Деректер кестелері:
MT3S111P(TE12L,F) Деректер кестелері(PDF)
Бөлім күйі :
Active
Жабдықтаушы құрылғы пакеті :
PW-MINI
Жиілік - Өту :
8GHz
Жұмыс температурасы :
150°C (TJ)
Кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс.) :
6V
Монтаждау түрі :
Surface Mount
Пакет/қорап :
TO-243AA
Сериялар :
-
Табыс :
10.5dB
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :
100mA
Транзистор түрі :
NPN
Тұрақты токтың өсуі (hFE) (мин) @ Ic, Vce :
200 @ 30mA, 5V
Шу көрсеткіші (дБ Typ @ f) :
1.25dB @ 1GHz
Қаптама :
Tape & Reel (TR)
Қуат - Макс :
1W
Қоймада
30,826
Unit Price:
Бізбен байланысыңыз ұсыныс
MT3S111P(TE12L,F) Конкурентные цены
ChipIc бірегей жабдықтау көзі бар. Біз MT3S111P(TE12L,F) қосымшасын ұсына аламыз
біздің клиенттер үшін бәсекеге қабілетті баға. Сіз біздің ең жақсысынан ләззат ала аласыз
Chipmlcc MT3S111P(TE12L,F) сатып алу арқылы қызмет көрсету. қатысты бізге хабарласыңыз
MT3S111P(TE12L,F) сайтындағы ең жақсы баға. Ұсыныс алу үшін басыңыз
MT3S111P(TE12L,F) Особенности
MT3S111P(TE12L,F) is produced by Toshiba Semiconductor and Storage, belongs to Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - RF.
MT3S111P(TE12L,F) Өнім туралы мәліметтер
:
MT3S111P(TE12L,F) — Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - RF буферлік күшейткіштер әзірленген және
өндірілген
Toshiba Semiconductor and Storage.
Toshiba Semiconductor and Storage ұсынған MT3S111P(TE12L,F) файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC MT3S111P(TE12L,F) сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат MT3S111P(TE12L,F) (PDF), бағасы MT3S111P(TE12L,F), Pinout MT3S111P(TE12L,F), нұсқаулық MT3S111P(TE12L,F) Және MT3S111P(TE12L,F) ауыстыру шешімі.
Toshiba Semiconductor and Storage ұсынған MT3S111P(TE12L,F) файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC MT3S111P(TE12L,F) сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат MT3S111P(TE12L,F) (PDF), бағасы MT3S111P(TE12L,F), Pinout MT3S111P(TE12L,F), нұсқаулық MT3S111P(TE12L,F) Және MT3S111P(TE12L,F) ауыстыру шешімі.
MT3S111P(TE12L,F) FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The maximum drain-source voltage for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 3.7A.
3. What is the on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 60mΩ.
4. What is the gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1.5V.
5. What is the total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 8.6nC.
6. What is the input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1100pF.
7. What is the output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 200pF.
8. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 150pF.
9. What is the junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is -55°C to 150°C.
10. What is the package type and lead finish of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The MT3S111P(TE12L,F) MOSFET comes in a DPAK (TO-252) package with lead-free plating.
The maximum drain-source voltage for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 3.7A.
3. What is the on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 60mΩ.
4. What is the gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1.5V.
5. What is the total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 8.6nC.
6. What is the input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1100pF.
7. What is the output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 200pF.
8. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 150pF.
9. What is the junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is -55°C to 150°C.
10. What is the package type and lead finish of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The MT3S111P(TE12L,F) MOSFET comes in a DPAK (TO-252) package with lead-free plating.
MT3S111P(TE12L,F) Қатысты кілт сөздер
:
MT3S111P(TE12L,F) Бағасы
MT3S111P(TE12L,F) Кескіндеме
MT3S111P(TE12L,F) Істік кернеу
Науқандар: Жылдам дәйексөзді тексеру
Ең аз тапсырыс: 1
Contains
"MT3S"
series
products
