MUN5111T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Дискретті жартылай өткізгіштер
Өндіруші нөмірі:
MUN5111T1G
Өндіруші:
Сипаттамасы:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
RoHs күйі:
Қорғасынсыз / RoHS сәйкес
Деректер кестелері:
Vce қанықтылығы (макс) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
Ағымдық - коллектордың кесілуі (макс.) :
500nA
Бөлім күйі :
Active
Жабдықтаушы құрылғы пакеті :
SC-70-3 (SOT323)
Жиілік - Өту :
-
Кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс.) :
50V
Монтаждау түрі :
Surface Mount
Пакет/қорап :
SC-70, SOT-323
Резистор - негіз (R1) :
10 kOhms
Резистор - Эмитент негізі (R2) :
10 kOhms
Сериялар :
-
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :
100mA
Транзистор түрі :
PNP - Pre-Biased
Тұрақты токтың өсуі (hFE) (мин) @ Ic, Vce :
35 @ 5mA, 10V
Қаптама :
Tape & Reel (TR)
Қуат - Макс :
202mW
Қоймада
44,313
Unit Price:
Бізбен байланысыңыз ұсыныс
MUN5111T1G Конкурентные цены
ChipIc бірегей жабдықтау көзі бар. Біз MUN5111T1G қосымшасын ұсына аламыз
біздің клиенттер үшін бәсекеге қабілетті баға. Сіз біздің ең жақсысынан ләззат ала аласыз
Chipmlcc MUN5111T1G сатып алу арқылы қызмет көрсету. қатысты бізге хабарласыңыз
MUN5111T1G сайтындағы ең жақсы баға. Ұсыныс алу үшін басыңыз
MUN5111T1G Особенности
MUN5111T1G is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Бірыңғай, Алдын ала.
MUN5111T1G Өнім туралы мәліметтер
:
MUN5111T1G — Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Бірыңғай, Алдын ала буферлік күшейткіштер әзірленген және
өндірілген
ON Semiconductor.
ON Semiconductor ұсынған MUN5111T1G файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC MUN5111T1G сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат MUN5111T1G (PDF), бағасы MUN5111T1G, Pinout MUN5111T1G, нұсқаулық MUN5111T1G Және MUN5111T1G ауыстыру шешімі.
ON Semiconductor ұсынған MUN5111T1G файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC MUN5111T1G сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат MUN5111T1G (PDF), бағасы MUN5111T1G, Pinout MUN5111T1G, нұсқаулық MUN5111T1G Және MUN5111T1G ауыстыру шешімі.
MUN5111T1G FAQ
:
1. What is the maximum continuous collector current (IC) for MUN5111T1G?
The maximum continuous collector current (IC) for MUN5111T1G is 100 mA.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G is 50 V.
3. What is the maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G?
The maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G is 5 V.
4. What is the DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G?
The DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G is 40 to 250.
5. What is the maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G?
The maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G is 225 mW.
6. What is the operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G?
The operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G is -55°C to +150°C.
7. What is the thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G?
The thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G is 357°C/W.
8. What is the package type for MUN5111T1G?
MUN5111T1G comes in a SOT-223 package.
9. Is MUN5111T1G RoHS compliant?
Yes, MUN5111T1G is RoHS compliant.
10. What are the typical applications for MUN5111T1G?
MUN5111T1G is commonly used in general purpose switching and amplification applications.
The maximum continuous collector current (IC) for MUN5111T1G is 100 mA.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G is 50 V.
3. What is the maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G?
The maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G is 5 V.
4. What is the DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G?
The DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G is 40 to 250.
5. What is the maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G?
The maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G is 225 mW.
6. What is the operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G?
The operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G is -55°C to +150°C.
7. What is the thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G?
The thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G is 357°C/W.
8. What is the package type for MUN5111T1G?
MUN5111T1G comes in a SOT-223 package.
9. Is MUN5111T1G RoHS compliant?
Yes, MUN5111T1G is RoHS compliant.
10. What are the typical applications for MUN5111T1G?
MUN5111T1G is commonly used in general purpose switching and amplification applications.
MUN5111T1G Қатысты кілт сөздер
:
MUN5111T1G Бағасы
MUN5111T1G Кескіндеме
MUN5111T1G Істік кернеу
Науқандар: Жылдам дәйексөзді тексеру
Ең аз тапсырыс: 1
Contains
"MUN5"
series
products