IMD10AMT1G ON Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Дискретті жартылай өткізгіштер
Өндіруші нөмірі:
IMD10AMT1G
Өндіруші:
Сипаттамасы:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
RoHs күйі:
Қорғасынсыз / RoHS сәйкес Деректер кестелері:
IMD10AMT1G Деректер кестелері(PDF)
Vce қанықтылығы (макс) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
Ағымдық - коллектордың кесілуі (макс.) :
500nA
Бөлім күйі :
Active
Жабдықтаушы құрылғы пакеті :
SC-74R
Жиілік - Өту :
-
Кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс.) :
50V
Монтаждау түрі :
Surface Mount
Пакет/қорап :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Резистор - негіз (R1) :
13 kOhms, 130 Ohms
Резистор - Эмитент негізі (R2) :
10 kOhms
Сериялар :
-
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :
500mA
Транзистор түрі :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Тұрақты токтың өсуі (hFE) (мин) @ Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Қаптама :
Tape & Reel (TR)
Қуат - Макс :
285mW
Қоймада
12,492
Unit Price:
Бізбен байланысыңыз ұсыныс
IMD10AMT1G Конкурентные цены
ChipIc бірегей жабдықтау көзі бар. Біз IMD10AMT1G қосымшасын ұсына аламыз
біздің клиенттер үшін бәсекеге қабілетті баға. Сіз біздің ең жақсысынан ләззат ала аласыз
Chipmlcc IMD10AMT1G сатып алу арқылы қызмет көрсету. қатысты бізге хабарласыңыз
IMD10AMT1G сайтындағы ең жақсы баға. Ұсыныс алу үшін басыңыз
IMD10AMT1G Особенности
IMD10AMT1G is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Массивтер, Алдын ала орнатылған.
IMD10AMT1G Өнім туралы мәліметтер
:
IMD10AMT1G — Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Массивтер, Алдын ала орнатылған буферлік күшейткіштер әзірленген және
өндірілген
ON Semiconductor.
ON Semiconductor ұсынған IMD10AMT1G файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC IMD10AMT1G сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат IMD10AMT1G (PDF), бағасы IMD10AMT1G, Pinout IMD10AMT1G, нұсқаулық IMD10AMT1G Және IMD10AMT1G ауыстыру шешімі.
ON Semiconductor ұсынған IMD10AMT1G файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC IMD10AMT1G сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат IMD10AMT1G (PDF), бағасы IMD10AMT1G, Pinout IMD10AMT1G, нұсқаулық IMD10AMT1G Және IMD10AMT1G ауыстыру шешімі.
IMD10AMT1G FAQ
:
1. What is the maximum continuous drain current for the IMD10AMT1G?
The maximum continuous drain current for the IMD10AMT1G is 3.7A.
2. What is the typical gate-source threshold voltage for this semiconductor?
The typical gate-source threshold voltage for the IMD10AMT1G is 2V.
3. Can you provide the maximum power dissipation for this device?
The maximum power dissipation for the IMD10AMT1G is 2.5W.
4. What is the on-state resistance of the IMD10AMT1G at a specified gate-source voltage?
The on-state resistance of the IMD10AMT1G at a gate-source voltage of 10V is typically 0.045 ohms.
5. What is the typical input capacitance of the IMD10AMT1G?
The typical input capacitance of the IMD10AMT1G is 1100pF.
6. Can you explain the typical turn-on delay time for this semiconductor?
The typical turn-on delay time for the IMD10AMT1G is 8.5ns.
7. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the IMD10AMT1G is 175°C.
8. Can you provide the typical reverse recovery time for the diode in this semiconductor?
The typical reverse recovery time for the diode in the IMD10AMT1G is 35ns.
9. What is the typical thermal resistance from junction to ambient for this component?
The typical thermal resistance from junction to ambient for the IMD10AMT1G is 62°C/W.
10. Can you explain the maximum storage temperature for this semiconductor?
The maximum storage temperature for the IMD10AMT1G is -55°C to 175°C.
The maximum continuous drain current for the IMD10AMT1G is 3.7A.
2. What is the typical gate-source threshold voltage for this semiconductor?
The typical gate-source threshold voltage for the IMD10AMT1G is 2V.
3. Can you provide the maximum power dissipation for this device?
The maximum power dissipation for the IMD10AMT1G is 2.5W.
4. What is the on-state resistance of the IMD10AMT1G at a specified gate-source voltage?
The on-state resistance of the IMD10AMT1G at a gate-source voltage of 10V is typically 0.045 ohms.
5. What is the typical input capacitance of the IMD10AMT1G?
The typical input capacitance of the IMD10AMT1G is 1100pF.
6. Can you explain the typical turn-on delay time for this semiconductor?
The typical turn-on delay time for the IMD10AMT1G is 8.5ns.
7. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the IMD10AMT1G is 175°C.
8. Can you provide the typical reverse recovery time for the diode in this semiconductor?
The typical reverse recovery time for the diode in the IMD10AMT1G is 35ns.
9. What is the typical thermal resistance from junction to ambient for this component?
The typical thermal resistance from junction to ambient for the IMD10AMT1G is 62°C/W.
10. Can you explain the maximum storage temperature for this semiconductor?
The maximum storage temperature for the IMD10AMT1G is -55°C to 175°C.
IMD10AMT1G Қатысты кілт сөздер
:
IMD10AMT1G Бағасы
IMD10AMT1G Кескіндеме
IMD10AMT1G Істік кернеу
Науқандар: Жылдам дәйексөзді тексеру
Ең аз тапсырыс: 1
Contains
"IMD1"
series
products
