SIC788ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix 50A VRPOWER INTEGRATED POWER ST
Интегралды схемалар (ICs)
Өндіруші нөмірі:
SIC788ACD-T1-GE3
Өндіруші:
Өнім санаты:
Сипаттамасы:
50A VRPOWER INTEGRATED POWER ST
RoHs күйі:
Деректер кестелері:
SIC788ACD-T1-GE3 Деректер кестелері(PDF)
Rds On (түрі) :
-
Ағымдық - Шығыс / Арна :
50A
Ақаулықтан қорғау :
Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Бөлім күйі :
Active
Ерекше өзгешеліктері :
Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Жабдықтаушы құрылғы пакеті :
-
Жүктеме түрі :
Inductive
Жұмыс температурасы :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Интерфейс :
PWM
Кернеу - Жүктеме :
4.5 V ~ 18 V
Кернеу - қоректендіру :
4.5 V ~ 5.5 V
Монтаждау түрі :
-
Пакет/қорап :
-
Сериялар :
VRPower®
Технология :
Power MOSFET
Ток – Шығару шыңы :
-
Шығыс конфигурациясы :
Half Bridge
Қаптама :
-
Қолданбалар :
Synchronous Buck Converters
Қоймада
49,452
Unit Price:
Бізбен байланысыңыз ұсыныс
SIC788ACD-T1-GE3 Конкурентные цены
ChipIc бірегей жабдықтау көзі бар. Біз SIC788ACD-T1-GE3 қосымшасын ұсына аламыз
біздің клиенттер үшін бәсекеге қабілетті баға. Сіз біздің ең жақсысынан ләззат ала аласыз
Chipmlcc SIC788ACD-T1-GE3 сатып алу арқылы қызмет көрсету. қатысты бізге хабарласыңыз
SIC788ACD-T1-GE3 сайтындағы ең жақсы баға. Ұсыныс алу үшін басыңыз
SIC788ACD-T1-GE3 Особенности
SIC788ACD-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to PMIC - толық, жартылай көпір драйверлері.
SIC788ACD-T1-GE3 Өнім туралы мәліметтер
:
SIC788ACD-T1-GE3 — PMIC - толық, жартылай көпір драйверлері буферлік күшейткіштер әзірленген және
өндірілген
Vishay Siliconix.
Vishay Siliconix ұсынған SIC788ACD-T1-GE3 файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC SIC788ACD-T1-GE3 сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат SIC788ACD-T1-GE3 (PDF), бағасы SIC788ACD-T1-GE3, Pinout SIC788ACD-T1-GE3, нұсқаулық SIC788ACD-T1-GE3 Және SIC788ACD-T1-GE3 ауыстыру шешімі.
Vishay Siliconix ұсынған SIC788ACD-T1-GE3 файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC SIC788ACD-T1-GE3 сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат SIC788ACD-T1-GE3 (PDF), бағасы SIC788ACD-T1-GE3, Pinout SIC788ACD-T1-GE3, нұсқаулық SIC788ACD-T1-GE3 Және SIC788ACD-T1-GE3 ауыстыру шешімі.
SIC788ACD-T1-GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the SIC788ACD-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 1200V.
2. What is the continuous drain current rating for this MOSFET?
The continuous drain current rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 30A.
3. Can you provide the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 at a specific temperature and voltage?
At 25°C and a gate-source voltage of 15V, the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 is 80mΩ.
4. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the SIC788ACD-T1-GE3 is 175°C.
5. Does the SIC788ACD-T1-GE3 have built-in ESD protection?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 features built-in ESD protection.
6. What is the gate threshold voltage of this MOSFET?
The gate threshold voltage of the SIC788ACD-T1-GE3 typically ranges from 2V to 4V.
7. Can you provide information about the input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3?
The input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3 is typically 3200pF.
8. Is the SIC788ACD-T1-GE3 suitable for high-frequency switching applications?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 is suitable for high-frequency switching applications.
9. What is the total power dissipation of this device?
The total power dissipation of the SIC788ACD-T1-GE3 is 150W.
10. Does this MOSFET require a heat sink for certain operating conditions?
Yes, a heat sink may be required for the SIC788ACD-T1-GE3 under high-power or high-temperature operating conditions.
The maximum drain-source voltage rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 1200V.
2. What is the continuous drain current rating for this MOSFET?
The continuous drain current rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 30A.
3. Can you provide the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 at a specific temperature and voltage?
At 25°C and a gate-source voltage of 15V, the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 is 80mΩ.
4. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the SIC788ACD-T1-GE3 is 175°C.
5. Does the SIC788ACD-T1-GE3 have built-in ESD protection?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 features built-in ESD protection.
6. What is the gate threshold voltage of this MOSFET?
The gate threshold voltage of the SIC788ACD-T1-GE3 typically ranges from 2V to 4V.
7. Can you provide information about the input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3?
The input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3 is typically 3200pF.
8. Is the SIC788ACD-T1-GE3 suitable for high-frequency switching applications?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 is suitable for high-frequency switching applications.
9. What is the total power dissipation of this device?
The total power dissipation of the SIC788ACD-T1-GE3 is 150W.
10. Does this MOSFET require a heat sink for certain operating conditions?
Yes, a heat sink may be required for the SIC788ACD-T1-GE3 under high-power or high-temperature operating conditions.
SIC788ACD-T1-GE3 Қатысты кілт сөздер
:
SIC788ACD-T1-GE3 Бағасы
SIC788ACD-T1-GE3 Кескіндеме
SIC788ACD-T1-GE3 Істік кернеу
Науқандар: Жылдам дәйексөзді тексеру
Ең аз тапсырыс: 1
Contains
"SIC7"
series
products
