WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Бізбен байланысыңыз  |  Шарттар мен шарттар
Кәсіби электрондық компоненттер жеткізушілері | ChipIc

Мүшелік

ChipIc-ке қош келдіңіз

Менің жеке деректерім. Тапсырыс күйі & amp; Оқиға Сұраныс Мекенжайды басқару
ТіркеуНемесеТіркеу
  1. Үй
  2. санаттар
  3. Интегралды схемалар (ICs)
  4. Жад
  5. TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA

TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA

Интегралды схемалар (ICs)     
Өндіруші нөмірі:
TC58NVG1S3HBAI4
Өндіруші:
Toshiba Memory America, Inc.
Өнім санаты:
Жад
Сипаттамасы:
IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
RoHs күйі:
Қорғасынсыз / RoHS сәйкес
Деректер кестелері:
TC58NVG1S3HBAI4 Деректер кестелері(PDF)
Бөлім күйі :
Active
Жабдықтаушы құрылғы пакеті :
63-TFBGA (9x11)
Жад интерфейсі :
Parallel
Жад пішімі :
Flash
Жад түрі :
Non-Volatile
Жад өлшемі :
2Gb (256M x 8)
Жазу циклінің уақыты - Word, Бет :
25ns
Жұмыс температурасы :
-40°C ~ 85°C (TA)
Кернеу - қоректендіру :
2.7 V ~ 3.6 V
Монтаждау түрі :
Surface Mount
Пакет/қорап :
63-VFBGA
Сағат жиілігі :
-
Сериялар :
-
Технология :
FLASH - NAND (SLC)
Қаптама :
Tray
Қол жеткізу уақыты :
25ns
Қоймада
19,787
Unit Price:
Бізбен байланысыңыз ұсыныс
 

TC58NVG1S3HBAI4 Конкурентные цены

ChipIc бірегей жабдықтау көзі бар. Біз TC58NVG1S3HBAI4 қосымшасын ұсына аламыз біздің клиенттер үшін бәсекеге қабілетті баға. Сіз біздің ең жақсысынан ләззат ала аласыз Chipmlcc TC58NVG1S3HBAI4 сатып алу арқылы қызмет көрсету. қатысты бізге хабарласыңыз TC58NVG1S3HBAI4 сайтындағы ең жақсы баға. Ұсыныс алу үшін басыңыз
 

TC58NVG1S3HBAI4 Особенности

TC58NVG1S3HBAI4 is produced by Toshiba Memory America, Inc., belongs to Жад.
  

TC58NVG1S3HBAI4 Өнім туралы мәліметтер

:
TC58NVG1S3HBAI4 — Жад буферлік күшейткіштер әзірленген және өндірілген Toshiba Memory America, Inc..
Toshiba Memory America, Inc. ұсынған TC58NVG1S3HBAI4 файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC TC58NVG1S3HBAI4 сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат TC58NVG1S3HBAI4 (PDF), бағасы TC58NVG1S3HBAI4, Pinout TC58NVG1S3HBAI4, нұсқаулық TC58NVG1S3HBAI4 Және TC58NVG1S3HBAI4 ауыстыру шешімі.
  

TC58NVG1S3HBAI4 FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 83MHz.

2. What is the typical power consumption of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory during read operations is 25mA.

3. Can the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory operate at industrial temperature ranges?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.

4. What is the maximum data transfer rate supported by the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory supports a maximum data transfer rate of 166 megabytes per second (MB/s).

5. Does the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory supports hardware data protection features such as block locking and OTP (One-Time Programmable) area.

6. What is the typical program/erase cycle endurance of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 3,000 cycles.

7. Is the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface) 3.0.

8. What is the voltage supply range for the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The voltage supply range for the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

9. Does the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory support advanced error correction capabilities?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory supports advanced error correction capabilities such as BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) algorithm.

10. What is the typical data retention period of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The typical data retention period of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 10 years.
  

TC58NVG1S3HBAI4 Қатысты кілт сөздер

:
TC58NVG1S3HBAI4 Бағасы
TC58NVG1S3HBAI4 Деректер тізімі
TC58NVG1S3HBAI4 Кескіндеме
TC58NVG1S3HBAI4 PDF
TC58NVG1S3HBAI4 Техникалық сипаттама
TC58NVG1S3HBAI4 Істік кернеу
TC58NVG1S3HBAI4 Провайдер

Науқандар: Жылдам дәйексөзді тексеру

Ең аз тапсырыс: 1

Барлық міндетті өрістерді толтырып, "Жіберу" түймесін басыңыз, біз 12 сағат ішінде сізбен электрондық пошта арқылы хабарласамыз. электрондық пошта арқылы. Егер сізде сұрақтар туындаса, хабарлама немесе электрондық поштаны қалдырыңыз. mlccchips@gmail.com электрондық поштасына хат жіберіңіз, біз мүмкіндігінше тезірек жауап береміз.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Жеткізу уақыты:24 сағат ішінде - 72 сағат.

 Contains "TC58" series products