WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Бізбен байланысыңыз  |  Шарттар мен шарттар
Кәсіби электрондық компоненттер жеткізушілері | ChipIc

Мүшелік

ChipIc-ке қош келдіңіз

Менің жеке деректерім. Тапсырыс күйі & amp; Оқиға Сұраныс Мекенжайды басқару
ТіркеуНемесеТіркеу
  1. Үй
  2. санаттар
  3. Дискретті жартылай өткізгіштер
  4. Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Бірыңғай, Алдын ала
  5. DDTC113TE-7 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
DDTC113TE-7 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
DDTC113TE-7 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

DDTC113TE-7 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

Дискретті жартылай өткізгіштер     
Өндіруші нөмірі:
DDTC113TE-7
Өндіруші:
Diodes Incorporated
Өнім санаты:
Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Бірыңғай, Алдын ала
Сипаттамасы:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
RoHs күйі:
Деректер кестелері:
DDTC113TE-7 Деректер кестелері(PDF)
Vce қанықтылығы (макс) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
Ағымдық - коллектордың кесілуі (макс.) :
500nA (ICBO)
Бөлім күйі :
Discontinued at Digi-Key
Жабдықтаушы құрылғы пакеті :
SOT-523
Жиілік - Өту :
250MHz
Кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс.) :
50V
Монтаждау түрі :
Surface Mount
Пакет/қорап :
SOT-523
Резистор - негіз (R1) :
1 kOhms
Резистор - Эмитент негізі (R2) :
-
Сериялар :
-
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :
100mA
Транзистор түрі :
NPN - Pre-Biased
Тұрақты токтың өсуі (hFE) (мин) @ Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Қаптама :
Tape & Reel (TR)
Қуат - Макс :
150mW
Қоймада
49,706
Unit Price:
Бізбен байланысыңыз ұсыныс
 

DDTC113TE-7 Конкурентные цены

ChipIc бірегей жабдықтау көзі бар. Біз DDTC113TE-7 қосымшасын ұсына аламыз біздің клиенттер үшін бәсекеге қабілетті баға. Сіз біздің ең жақсысынан ләззат ала аласыз Chipmlcc DDTC113TE-7 сатып алу арқылы қызмет көрсету. қатысты бізге хабарласыңыз DDTC113TE-7 сайтындағы ең жақсы баға. Ұсыныс алу үшін басыңыз
 

DDTC113TE-7 Особенности

DDTC113TE-7 is produced by Diodes Incorporated, belongs to Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Бірыңғай, Алдын ала.
  

DDTC113TE-7 Өнім туралы мәліметтер

:
DDTC113TE-7 — Транзисторлар - Биполярлы (BJT) - Бірыңғай, Алдын ала буферлік күшейткіштер әзірленген және өндірілген Diodes Incorporated.
Diodes Incorporated ұсынған DDTC113TE-7 файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC DDTC113TE-7 сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат DDTC113TE-7 (PDF), бағасы DDTC113TE-7, Pinout DDTC113TE-7, нұсқаулық DDTC113TE-7 Және DDTC113TE-7 ауыстыру шешімі.
  

DDTC113TE-7 FAQ

:
1. What is the maximum collector current for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor?
The maximum collector current for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor is 100mA.

2. What is the typical collector-emitter saturation voltage of the DDTC113TE-7?
The typical collector-emitter saturation voltage of the DDTC113TE-7 is 0.3V.

3. What is the maximum power dissipation for the DDTC113TE-7 in a package with a size of 2.9mm x 1.3mm?
The maximum power dissipation for the DDTC113TE-7 in a package with a size of 2.9mm x 1.3mm is 200mW.

4. What is the storage temperature range for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor?
The storage temperature range for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor is -55°C to +150°C.

5. What is the typical DC current gain (hFE) of the DDTC113TE-7 at a collector current of 10mA?
The typical DC current gain (hFE) of the DDTC113TE-7 at a collector current of 10mA is 250.

6. What is the maximum emitter-base voltage for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor?
The maximum emitter-base voltage for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor is 5V.

7. What is the recommended soldering temperature and duration for the DDTC113TE-7?
The recommended soldering temperature for the DDTC113TE-7 is 260°C for 10 seconds.

8. What is the thermal resistance from junction to ambient for the DDTC113TE-7 in a SOT416 package?
The thermal resistance from junction to ambient for the DDTC113TE-7 in a SOT416 package is 625°C/W.

9. What is the maximum reverse voltage for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor?
The maximum reverse voltage for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor is 50V.

10. What is the operating temperature range for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor?
The operating temperature range for the DDTC113TE-7 discrete semiconductor is -55°C to +150°C.
  

DDTC113TE-7 Қатысты кілт сөздер

:
DDTC113TE-7 Бағасы
DDTC113TE-7 Деректер тізімі
DDTC113TE-7 Кескіндеме
DDTC113TE-7 PDF
DDTC113TE-7 Техникалық сипаттама
DDTC113TE-7 Істік кернеу
DDTC113TE-7 Провайдер

Науқандар: Жылдам дәйексөзді тексеру

Ең аз тапсырыс: 1

Барлық міндетті өрістерді толтырып, "Жіберу" түймесін басыңыз, біз 12 сағат ішінде сізбен электрондық пошта арқылы хабарласамыз. электрондық пошта арқылы. Егер сізде сұрақтар туындаса, хабарлама немесе электрондық поштаны қалдырыңыз. mlccchips@gmail.com электрондық поштасына хат жіберіңіз, біз мүмкіндігінше тезірек жауап береміз.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Жеткізу уақыты:24 сағат ішінде - 72 сағат.

 Contains "DDTC" series products