CGHV1F006S Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Дискретті жартылай өткізгіштер
Өндіруші нөмірі:
CGHV1F006S
Өндіруші:
Өнім санаты:
Сипаттамасы:
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
RoHs күйі:
Қорғасынсыз / RoHS сәйкес Деректер кестелері:
CGHV1F006S Деректер кестелері(PDF)
Ағымдағы - Тест :
60mA
Ағымдағы рейтинг :
950mA
Бөлім күйі :
Active
Жабдықтаушы құрылғы пакеті :
12-DFN (4x3)
Жиілік :
6GHz
Кернеу - номиналды :
100V
Кернеу - сынақ :
40V
Пакет/қорап :
12-VFDFN Exposed Pad
Сериялар :
GaN
Табыс :
16dB
Транзистор түрі :
HEMT
Шу фигурасы :
-
Қаптама :
Tape & Reel (TR)
Қуат - шығыс :
8W
Қоймада
57,768
Unit Price:
Бізбен байланысыңыз ұсыныс
CGHV1F006S Конкурентные цены
ChipIc бірегей жабдықтау көзі бар. Біз CGHV1F006S қосымшасын ұсына аламыз
біздің клиенттер үшін бәсекеге қабілетті баға. Сіз біздің ең жақсысынан ләззат ала аласыз
Chipmlcc CGHV1F006S сатып алу арқылы қызмет көрсету. қатысты бізге хабарласыңыз
CGHV1F006S сайтындағы ең жақсы баға. Ұсыныс алу үшін басыңыз
CGHV1F006S Особенности
CGHV1F006S is produced by Cree/Wolfspeed, belongs to Транзисторлар – өрістік транзисторлар, MOSFET – RF.
CGHV1F006S Өнім туралы мәліметтер
:
CGHV1F006S — Транзисторлар – өрістік транзисторлар, MOSFET – RF буферлік күшейткіштер әзірленген және
өндірілген
Cree/Wolfspeed.
Cree/Wolfspeed ұсынған CGHV1F006S файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC CGHV1F006S сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат CGHV1F006S (PDF), бағасы CGHV1F006S, Pinout CGHV1F006S, нұсқаулық CGHV1F006S Және CGHV1F006S ауыстыру шешімі.
Cree/Wolfspeed ұсынған CGHV1F006S файлын CHIPMLCC сайтынан сатып алуға болады.
Мұнда жетекші өндірушілердің әртүрлі электронды бөлшектерін таба аласыз бейбітшілік.
CHIPMLCC CGHV1F006S сапасы қатаң бақылаудан өтіп, сәйкес келеді барлығы талаптар.
CHIPMLCC-те көрсетілген қор күйі тек анықтама үшін берілген.
Егер сіз іздеген бөлікті таппасаңыз, бізбен байланыса аласыз деректер кестесіндегі қорлардың саны сияқты қосымша ақпарат CGHV1F006S (PDF), бағасы CGHV1F006S, Pinout CGHV1F006S, нұсқаулық CGHV1F006S Және CGHV1F006S ауыстыру шешімі.
CGHV1F006S FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the CGHV1F006S?
The maximum drain-source voltage rating for the CGHV1F006S is 650 volts.
2. What is the typical input capacitance of the CGHV1F006S at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance of the CGHV1F006S is 440 pF at a voltage of 25 V and a frequency of 1 MHz.
3. Can the CGHV1F006S be used in high-frequency applications?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for high-frequency applications due to its low input and output capacitance.
4. What is the maximum continuous drain current for the CGHV1F006S?
The maximum continuous drain current for the CGHV1F006S is 6 A.
5. Does the CGHV1F006S require an external matching network for optimal performance?
Yes, the CGHV1F006S requires an external matching network for optimal performance in RF applications.
6. What is the typical on-state resistance of the CGHV1F006S?
The typical on-state resistance of the CGHV1F006S is 0.35 ohms.
7. Is the CGHV1F006S suitable for use in Class AB amplifier designs?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for use in Class AB amplifier designs due to its high power handling capability.
8. What is the recommended operating temperature range for the CGHV1F006S?
The recommended operating temperature range for the CGHV1F006S is -55°C to 150°C.
9. Can the CGHV1F006S be used in linear amplifier applications?
Yes, the CGHV1F006S can be used in linear amplifier applications due to its low distortion characteristics.
10. What is the typical gate charge of the CGHV1F006S at a specified voltage and current?
The typical gate charge of the CGHV1F006S is 20 nC at a voltage of 10 V and a drain current of 3 A.
The maximum drain-source voltage rating for the CGHV1F006S is 650 volts.
2. What is the typical input capacitance of the CGHV1F006S at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance of the CGHV1F006S is 440 pF at a voltage of 25 V and a frequency of 1 MHz.
3. Can the CGHV1F006S be used in high-frequency applications?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for high-frequency applications due to its low input and output capacitance.
4. What is the maximum continuous drain current for the CGHV1F006S?
The maximum continuous drain current for the CGHV1F006S is 6 A.
5. Does the CGHV1F006S require an external matching network for optimal performance?
Yes, the CGHV1F006S requires an external matching network for optimal performance in RF applications.
6. What is the typical on-state resistance of the CGHV1F006S?
The typical on-state resistance of the CGHV1F006S is 0.35 ohms.
7. Is the CGHV1F006S suitable for use in Class AB amplifier designs?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for use in Class AB amplifier designs due to its high power handling capability.
8. What is the recommended operating temperature range for the CGHV1F006S?
The recommended operating temperature range for the CGHV1F006S is -55°C to 150°C.
9. Can the CGHV1F006S be used in linear amplifier applications?
Yes, the CGHV1F006S can be used in linear amplifier applications due to its low distortion characteristics.
10. What is the typical gate charge of the CGHV1F006S at a specified voltage and current?
The typical gate charge of the CGHV1F006S is 20 nC at a voltage of 10 V and a drain current of 3 A.
CGHV1F006S Қатысты кілт сөздер
:
CGHV1F006S Бағасы
CGHV1F006S Кескіндеме
CGHV1F006S Істік кернеу
Науқандар: Жылдам дәйексөзді тексеру
Ең аз тапсырыс: 1
Contains
"CGHV"
series
products